适用场景 | 第三代半导体晶体制备 |
技术领域 | 半导体装备制造 |
痛点问题 | 我国半导体产业起步较晚，基于电子信息安全等方面因素，晶体生长设备和半导体材料制造水平亟待提升。目前，国内外半导体厂商已将8英寸晶锭量产提上日程，对第三代大尺寸半导体长晶设备的需求迫切。 |
技术优势 | 项目通过晶体生长设备建模与仿真、热场设计与模拟等多项先进技术，大幅提升晶体生长设备控制系统、加热方式、热场结构及机械传动系统的设计水平和精密度，可以保证较高的晶体品质和生产效率。 |
负责人 简介 | 技术负责人姚泰，哈尔滨工业大学副研究员，国家科学自然基金面上项目获得者，江苏省创新创业人才，发表SCI论文20余篇，授权专利31项。 |
主要产品 | 产品1：CMK系列PVT法8英寸碳化硅单晶生长设备 该产品主要应用于大尺寸碳化硅单晶制备，结构设计具有高精度控温控压、高稳定性运行等特点,可根据客户需求对设备进行定制化开发。
产品2：LSTH系列熔体法激光晶体生长设备 该产品主要用于高质量激光晶体材料的生长，在传统提拉法晶体生长技术基础上，对机械传动方式、能量控制、温度场设计等方面做出改进，有效降低了缺陷萌生机率，晶向遗传特性良好。
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合作联系 | 罗老师13551153969 郭老师13162298627 邮箱：HITSRIProject@163.com |
文稿：半导体智能装备团队、罗尧晟；编辑：陆峰；审核：范文青
